发布日期：2024-10-27 17:35 点击次数：92
（原标题：OPPO Find X8发布百度鸡巴，英诺赛科为其注入AllGaN黑科技）
10月24日，专家杰出的智能末端制造商OPPO发布了最新的旗舰手机 Find X8/X8 pro，主打浮滑直屏和影像旗舰，天玑9400处理器与潮汐引擎的超强成立，配合冰川电板与极速充电时期，大要为用户带来指示的操作体验和捏久的续航发扬。
twitter 巨屌据了解，OPPO 这次发布的Find X8/X8 pro系列手机继承了英诺赛科全链路氮化镓(AllGaN)时期，从电源侧的快速充电(80W超等闪充和50W无线充)平直机里面主板的充电过压保护(OVP)，均继承了英诺赛科氮化镓。
据悉，英诺赛科是专家功率半导体立异的率领者，亦然专家最大的氮化镓芯片制造企业。公司继承IDM全产业链交易模式，并在专家范围内初次完满了先进的8英寸氮化镓量产工艺，是专家氮化镓行业的龙头企业，于2023-2024年，明白2年入选“胡润专家独角兽榜”。
英诺赛科的氮化镓居品用于多样低中高压愚弄场景，居品研发范围隐蔽15V至1200V，涵盖晶圆、分立器件、IC、模组，并为客户提供全氮化镓惩办决策。成立于今，英诺赛科领有近700项专利及专利恳求，居品可粗鄙愚弄于毁坏电子、可再纯真力及工业愚弄、汽车电子及数据中心等前沿领域。
全链路氮化镓(AllGaN)时期
第三代半导体氮化镓材料具备高能效、高频率的特色，大要打造体积更小、充电更快且安全性更高的居品。
OPPO 在Find X8/X8 pro系列手机主板充电过压保护和50W无线充居品中，继承了英诺赛科40V双向导通芯片VGaN，一颗替代两颗背靠背的 Si MOS，大大简化了里面空间，使居品缠绵愈加浮滑。同期，VGaN 具备双向导通或关断的特色，能在手机充电经过中对电板进行主动保护，增强了安全性和使用寿命。50W无线充更是得志了用户随处随时快速充电的需求。
充电侧的超等闪充则继承了英诺赛科高压GaN，该芯片继承TO-252 封装，阻抗更低，散热更强，效果更高。证明 OPPO 官方数据对比，继承英诺赛科高压 GaN 的80W 超等闪充与此前标配的80W适配器相比，体积减小约18%，随身佩带更便捷。
专家杰出的智能末端制造商遴荐与英诺赛科遥远深度联接，体现了其对创新时期和居品质能的信心和决心。据了解，该厂商已有多个系列居品(包括 Find X7/X8/Ultra，Realme GT 系列，一加 Ace 系列，以及 50W~150W 快充)的主板和充电器均继承了英诺赛科 AllGaN 时期，完满了居品质能与竞争力的杰出。
氮化镓赋能未来，共促行业创新
氮化镓材料以其高频、高电子迁徙率、强抗辐照才调及低导通电阻等不凡特色，正迟缓改动功率半导体行业格局。泰斗机构预测，2023年至2028年间，专家氮化镓功率半导体商场范围将完满指数级增长，复合年增长率高达98.5%，商场后劲遍及。
当作专家功率半导体立异的前驱，英诺赛科捏续引颈氮化镓功率半导体行业进入加快发展阶段，弗若斯特沙利文瞻望至2028年，专家商场范围将达到501.4亿元东说念主民币。
占据上风赛说念，据悉，英诺赛科最近三年业务高速增长，收入由2021年的6821.5万元(东说念主民币，下同)加多至2023年的5.9亿元，2021年-2023年，收入复合年增长率高达194.8%。
一方面专家氮化镓下流愚弄进入爆发期，需求端强力拉动，另一方面成绩于公司遥远宽裕远见的计谋布局，英诺赛科继承IDM模式，在居品缠绵、工艺制造、测试及下流愚弄等方面捏续大宗干涉，诞生了私有且无可相比的时期杰出地位及概述运营上风，大要有用得志商场鉴定需求。
当作第三代半导体氮化镓立异的率领者，未来，英诺赛科将捏续深耕，期待以愈加不凡的时期，助力更多行业厂商，打造更极致更优质的居品，共同激动行业创新及愚弄。
本文起首：财经报说念网百度鸡巴